研究人員期待硅半導體替代

2013年11月12

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研究人員在美國相信他們已經(jīng)克服的一個主要障礙在發(fā)展中一個功能替代硅半導體。

硅半導體是無處不在,現(xiàn)代電子產品但這些設備有局限性,包括未能正常運作在非常高的溫度。

一個有前途的替代是一個半導體由鋁和氮形成氮化鋁(AlN),這是更強大和更穩(wěn)定的比它的對手,可功能硅在較高的溫度下,是壓電,是透明的,可以發(fā)出,可見光。

傳統(tǒng)工藝生產運行溫度是層高達1150攝氏度,并提供有限的控制層的厚度。現(xiàn)在一個新的技術是聲稱提供了一種方法來生產高質量的氮化鋁(AlN)層厚度和一半的原子尺度的溫度的其他方法。

處處長Neeraj尼泊爾和同事的美國海軍研究實驗室在華盛頓特區(qū),是形成使用原子層外延層(ALE),材料是“成長”一層層地由順序雇兩個自限性到表面化學反應。

“例如,你成長氮化鋁將注入脈沖的鋁前體進入增長區(qū)域,它將外套所有表面,”尼泊爾在一份聲明中說。

在清除多余的鋁前體嚇跑,將“構建”水晶通過注射脈沖的氮前體進入增長區(qū)域,它與鋁前體反應在表面形成一層AlN。然后你會清除任何多余的氮和反應產物掉并重復這個過程。

在這一過程中,科學家制造了一種材料品質,類似在更高溫度下合成,但在條件允許它被集成在新的方式為制造設備的技術,如晶體管和開關。

尼泊爾說這項工作擴大潛在的新的先進的特種材料,可以用于包括下一代高頻射頻電子產品,比如那些用于高速數(shù)據(jù)傳輸和手機服務。

工作描述在應用物理快報》上一篇《,外延生長的用途AlN電影通過原子層外延。

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