IP提供程序創(chuàng)建低功耗的物聯(lián)網(wǎng)引用

en二氧化硅開發(fā)了一個低功率物聯(lián)網(wǎng)平臺，使用SRAM IP專員，sureCore的EverOn和PowerMiser SRAM IP產(chǎn)品線。

sureCore IoT參考平臺針對的是可穿戴、消費(fèi)者和醫(yī)療應(yīng)用。它已經(jīng)用TSMC的商用40nm超低功耗(40ULP)工藝技術(shù)錄制出來。半導(dǎo)體和IP提供商解釋說，40nm工藝集成了193nm浸入式光刻技術(shù)和超低k連接材料，提高了芯片性能，同時降低了功耗。40ULP工藝是專門為物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備開發(fā)的，將泄漏電流降低高達(dá)70%，能耗比TSMC的低功率(LP)過程降低30%。

IoT參考平臺包含了低功耗SRAM IP提供商、surecore的EverOn和PowerMiser SRAM IP產(chǎn)品線的派生。該公司研究了傳統(tǒng)SRAM架構(gòu)的基本局限性，以開發(fā)專利電路設(shè)計(jì)、架構(gòu)技術(shù)和輔助電路，并結(jié)合鑄造供應(yīng)的高密度SRAM比特單元，在接近閾值的位單元保持電壓下運(yùn)行。該公司表示，還可以實(shí)現(xiàn)顯著的動態(tài)/靜態(tài)節(jié)能。EverOn能夠操作與1.21和0.6 v之間的電壓供應(yīng)商用40 ulp流程,跨越的過程,和-40 + 125°C的溫度范圍內(nèi)。PowerMiser SRAM家庭提供了超過50%的動態(tài)電能節(jié)省和大約20%的靜態(tài)電能節(jié)省，而工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SRAM可用于商業(yè)上的40ULP過程。

EnSilic實(shí)現(xiàn)了低功耗參考平臺。埃里克·甘恩表示,該公司選擇sureCore首席運(yùn)營官,“證明的經(jīng)驗(yàn)提供低功耗設(shè)計(jì)服務(wù)。利用閾值附近的一個顯而易見的了解電池供電的應(yīng)用程序設(shè)計(jì)可以滿足客戶的期望,我們知道EnSilica tape-out能夠進(jìn)行迅速成功。恩硅對我們技術(shù)的技術(shù)欣賞，以及對TSMC工藝的深入理解，確保了一條無痛的退出之路。

首席執(zhí)行官伊恩Lankshear EnSilica補(bǔ)充道:“(sureCore)EverOn和PowerMiser SRAM IPs被證明改變?yōu)镾oC開發(fā)者提供超低功率時,area-efficient記憶和其新,超低功率參考物聯(lián)網(wǎng)平臺似乎犯同樣的影響下一代的可穿戴的消費(fèi)者和醫(yī)療應(yīng)用程序。”

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