理查森RFPD襪1000 V、120 mΩ碳化硅功率MOSFET

理查森RFPD已經(jīng)宣布C3M0120100K碳化硅功率MOSFET的可用性和全部設(shè)計支持能力，從狼速，一個Cree公司。

1000 V,120 mΩWolfspeed C3M SiC MOSFET的科技設(shè)備特性和可優(yōu)化的四位主演- 247 - 4包與一個單獨的驅(qū)動程序源代碼銷。其特點是漏極與源之間的漏電距離為8mm，通阻低的高阻塞電壓，低電容的高速開關(guān)，低反向恢復(fù)的內(nèi)部二極管(Qrr)快。

適用于可再生能源、電動汽車蓄電池充電器、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源等領(lǐng)域。

C3M0120100K的主要特點包括:

漏源電壓(Vds max): 1000v

連續(xù)漏電流(Id)在25°C:22

mΩRds(上):120

門總費用(Qg): 21.5 nC

最大結(jié)溫:150°C

輸出電容(Coss): 40pf

反向回收費用(Qrr): 154 nC

反向恢復(fù)時間(Trr): 16ns

船型開關(guān)http://www.yesiyuan.cn