雙SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)公布

Richardson RFPD宣布了Microsemi公司的新型SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì)的可用性和完整設(shè)計(jì)支持能力。

MSCSICMDD/REF1的設(shè)計(jì)目的是提供一個(gè)可靠的參考驅(qū)動(dòng)解決方案，一種在許多不同拓?fù)渲性u(píng)估碳化硅mosfet的方法，以及一種用于評(píng)估設(shè)備性能的參數(shù)測(cè)試方法。

新的評(píng)估板只需要一個(gè)+ 24v的電源輸入，并優(yōu)化驅(qū)動(dòng)SiC設(shè)備在高速與去飽和保護(hù)。它是一個(gè)基礎(chǔ)設(shè)計(jì)，可以根據(jù)不同的系統(tǒng)需求進(jìn)行簡化。

根據(jù)Microsemi, MSCSICMDD/REF1的其他關(guān)鍵特性包括:

可調(diào)- 5v到+ 20v輸出門驅(qū)動(dòng)器

在兩個(gè)門驅(qū)動(dòng)器上超過2000 V的電流隔離

每側(cè)驅(qū)動(dòng)功率可達(dá)6w;8w修改

最高輸出電流為30a

最大開關(guān)頻率大于400khz

單端或RS485/RS422差分輸入門控制

通過(短路)保護(hù)

+ / - 100 kV /µS能力

可編程序死時(shí)保護(hù)

故障信號(hào)

欠壓保護(hù)

蹺板開關(guān)http://www.yesiyuan.cn